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High-Speed, Wide-Input,
Single-Phase MOSFET Driver
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(V CC = V BST = V DLY = V EN = 5V, V GND = V PGND = V LX = 0V; T A = -40°C to +85°C, unless otherwise noted. Typical values are at T A =
+25°C.) (Note 1)
PARAMETER
PWM = GND,
CONDITIONS
V CC = 4.5V
MIN
TYP
1.0
MAX
1.6
UNITS
DL Driver Resistance
sourcing current
PWM = V CC ,
V CC = 5V
V CC = 4.5V
0.9
0.5
0.8
?
sinking current
V CC = 5V
0.45
DH Rise Time (t rDH )
DH Fall Time (t fDH )
DL Rise Time (t rDL )
DL Fall Time (t fDL )
DH Propagation Delay
PWM = V CC
PWM = GND
PWM = V CC
PWM = GND
PWM falling (t pDHf )
PWM = V CC,
DL falling (t pDHr )
V BST = 5V, 3000pF load
V BST = 5V, 3000pF load
V CC = 5V, 3000pF load
V CC = 5V, 3000pF load
V BST = 5V
V BST = 5V
14
9
11
8
12
14
ns
ns
ns
ns
ns
PWM rising (t pDLf )
9
DL Propagation Delay
PWM = GND,
LX falling (t pDLr )
V BST - V LX = 5V
16
ns
EN
Leakage Current
V PWM = 0V or 6.5V, V EN = 0V or 6.5V,
V CC = 6.5V, T A = +25°C
0.01
1
μA
V PWM = 0V or 6.5V, V EN = 0V or 6.5V,
V CC = 6.5V, T A = +85°C
0.1
Input-Voltage High Threshold
Input-Voltage Low Threshold
V CC = 6.5V
V CC = 4.5V
0.8
2.5
V
V
PWM
Leakage Current
V PWM = 0V or 6.5V, V EN = 0V or 6.5V,
V CC = 6.5V, T A = +25°C
0.01
1
μA
V PWM = 0V or 6.5V, V EN = 0V or 6.5V,
V CC = 6.5V, T A = +85°C
0.1
Input-Voltage High Threshold
Input-Voltage Low Threshold
Input Threshold Hysteresis
V CC = 6.5V
V CC = 4.5V
1.2
0.5
3.5
V
V
V
DLY
Delay Program Accuracy
Delay Disable-Detection
Threshold
R DLY = 47k ? , DL fall to DH rise
67.5
4.0
90.0
112.5
4.7
ns
V
Note 1: Specifications are production tested at T A = +25°C. Maximum and minimum limits are guaranteed by design and characterization.
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